HCJT1-802SK-L11 Tab-Up 1 × 1 พอร์ต 8P / 8C ตัวเชื่อมต่ออีเทอร์เน็ต RJ45 แบบป้องกัน Tab-Up
HCJT1-802SK-L11Tab-Up 1 × 1 พอร์ต 8P / 8C ตัวเชื่อมต่ออีเทอร์เน็ต RJ45 แบบป้องกันแท็บขึ้น
| หมวดหมู่ | ตัวเชื่อมต่อ, การเชื่อมต่อระหว่างกัน |
| ขั้วต่อโมดูลาร์ - แจ็ค | |
| แอปพลิเคชัน-LAN | อีเธอร์เน็ต (ไม่ใช่ POE) |
| ประเภทตัวเชื่อมต่อ | อาร์เจ45 |
| จำนวนตำแหน่ง/ผู้ติดต่อ | 8p8c |
| จำนวนพอร์ต | 1×1 |
| ความเร็วของแอปพลิเคชั่น | RJ45 ไม่มีแม่เหล็ก |
| ประเภทการติดตั้ง | ผ่านรู |
| ปฐมนิเทศ | มุม 90° (ขวา) |
| การสิ้นสุด | ประสาน |
| ความสูงเหนือกระดาน | 13.40 มม |
| สีแอลอีดี | พร้อมแอลอีดี |
| การป้องกัน | ป้องกันนิ้ว EMI |
| คุณสมบัติ | คู่มือคณะกรรมการ |
| ทิศทางของแท็บ | ขึ้น |
| ติดต่อวัสดุ | สารเรืองแสงสีบรอนซ์ |
| บรรจุภัณฑ์ | ถาด |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°ซ ~ 85°ซ |
| ความหนาของการชุบผิววัสดุสัมผัส | ทองคำ 6.00µin/15.00µin/30.00µin/50.00µin |
| วัสดุโล่ | ทองเหลือง |
| วัสดุที่อยู่อาศัย | เทอร์โมพลาสติก |
| เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS | YES-RoHS-5 พร้อมตะกั่วในการยกเว้นการบัดกรี |
มีเงื่อนไขห้าประการสำหรับการวิเคราะห์แบบจำลอง
1. รุ่นหลายบรรทัด (MLM): เหมาะสำหรับ RJ แบบหลายพิน รวมถึงส่วนประกอบระบบสัมผัส การมีเพศสัมพันธ์ระหว่างการสัมผัสและการสัมผัส การมีเพศสัมพันธ์ระหว่างการสัมผัสและการป้องกัน การมีเพศสัมพันธ์ระหว่างแผ่นอิเล็กโทรด ฯลฯ นอกเหนือจากพารามิเตอร์ที่เลียนแบบโดย SLM แล้ว ยังสามารถทำได้ ยังใช้เพื่อเลียนแบบ crosstalk และการเด้งกลับจากพื้นดิน
2. รุ่นสายเดี่ยว (SLM): เหมาะสำหรับสายเดี่ยวใน RJ เช่นสายส่งสัญญาณความเร็วสูง ซึ่งสามารถใช้เพื่อจำลองการสะท้อน ความล่าช้าและออฟเซ็ต การลดทอน และคุณภาพการส่งสัญญาณ
3.S พารามิเตอร์รุ่น: ส่วนใหญ่ใช้ในโดเมนความถี่ ซึ่งสามารถเลียนแบบปริมาณงานและ crosstalkการแปลงโดเมนตามเวลา อิมพีแดนซ์ ครอสทอล์ค ความล่าช้าในการส่งสัญญาณ และแผนภาพตาสามารถเกิดขึ้นได้
4. โมเดล IBIS: เป็นวิธีการสร้างแบบจำลอง I/O BUFFER อย่างรวดเร็วและแม่นยำตามเส้นโค้ง V/I รองรับ RJ ทุกประเภท และการสร้างแบบจำลอง RJ ที่หลากหลาย เช่น การส่งสัญญาณที่แตกต่างและไม่สมดุล SLM (ไม่มี ข้อต่อ), MLM (ข้อต่อ), โมเดลแบบเรียงซ้อน, แบบบอร์ดต่อบอร์ดและบอร์ดต่อสายเคเบิล ฯลฯ
5. โมเดล SPICE: เป็นโปรแกรมจำลองระดับวงจรที่แพร่หลายส่วนประกอบในวงจรที่วิเคราะห์อาจรวมถึงความต้านทาน ความจุไฟฟ้า ตัวเหนี่ยวนำ ตัวเหนี่ยวนำร่วม แหล่งแรงดันไฟฟ้าอิสระ แหล่งกระแสอิสระ แหล่งควบคุมเชิงเส้นต่างๆ สายส่ง และอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแอคทีฟ
